BC849BW RF
/Taiwan Semiconductor BC849BW RF , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:200, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
BC849BW RF的规格信息
晶体管类型：NPN
最大直流集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
封装类型：SOT-323 (SC-70)
安装类型：表面贴装
最大功率耗散：200 mW
最小直流电流增益：200
晶体管配置：单
最大发射极-基极电压：5 V
引脚数目：3
每片芯片元件数目：1
尺寸：2.1 x 1.35 x 1mm
高度：1mm
最大集电极-发射极饱和电压：0.6 V
最低工作温度：-55 °C
宽度：1.35mm
最高工作温度：+150 °C
长度：2.1mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
BC849BW RF
BC849BW RF的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | BC849BW RF | Taiwan Semiconductor | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW | 1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
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Mouser 贸泽电子 | BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW | 1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
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